1. NDD04N60Z-1G
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厂商型号

NDD04N60Z-1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

内部编号

277-NDD04N60Z-1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:230
20+¥2.5403
最小起订量:20
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1400
1+¥4.1607
25+¥3.8525
100+¥3.6984
500+¥3.5443
1000+¥3.3902
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:1725
1+¥5.6069
10+¥4.7043
100+¥3.0359
1000+¥2.4274
2000+¥2.0513
5000+¥1.9761
10000+¥1.9693
25000+¥1.853
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NDD04N60Z-1G产品详细规格

规格书 NDD04N60Z-1G datasheet 规格书
NDD04N60Z-1G datasheet 规格书
NDD04N60Z-1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.1A
Rds(最大)@ ID,VGS 2 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 50µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 19nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 535pF @ 25V
功率 - 最大 83W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装 I-Pak
包装材料 Tube

NDD04N60Z-1G系列产品

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